| 5CzBN | D-5CzBN |
| 0.75 | 0.88 |
稀溶液中的聚光衰減曲線（圖 2b）顯示，5CzBN 的迅速/延遲壽命為 5.0 ns/11.0 μs，D-5CzBN 為 5.2 ns/11.4 μs，5tCzBN 為 5.0 ns/9.3 μs，D-5tCzBN 為 5.5 ns/9.7 μs。與質子化發射體相比，兩種過氫化發射體在薄膜形式下的 PL 發射都呈現輕微的藍移和帶寬
電致發光光譜分析與TSF器件性能提升
氚化敏化劑的優越性能
最近的研究發現，通過氚化敏化劑的使用，可以在不改變濃度的情況下，顯著提高TSF器件的電致發光效率和色純度。這一發現為場效應晶體管（FET）技術的應用開闢了新的可能性。
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稀溶液中的聚光衰減曲線（圖 2b）顯示，5CzBN 的迅速/延遲壽命為 5.0 ns/11.0 μs，D-5CzBN 為 5.2 ns/11.4 μs，5tCzBN 為 5.0 ns/9.3 μs，D-5tCzBN 為 5.5 ns/9.7 μs。與質子化發射體相比，兩種過氫化發射體在薄膜形式下的 PL 發射都呈現輕微的藍移和帶寬
電致發光光譜分析與TSF器件性能提升
氚化敏化劑的優越性能
最近的研究發現，通過氚化敏化劑的使用，可以在不改變濃度的情況下，顯著提高TSF器件的電致發光效率和色純度。這一發現為場效應晶體管（FET）技術的應用開闢了新的可能性。
TSF-A和TSF-B器件的出色表現
研究人員通過對不同類型的敏化劑進行比較，發現氚化敏化劑優於質子化敏化劑。這一優勢在TSF-A和TSF-B器件的表現中得到了驗證。TSF-A和TSF-B器件的EQEmax值分別高達29.2%和33.1%，這是一個顯著的進步。
這些發現為開發高性能的TSF器件提供了新的思路，開創了FET技術在光電應用中的新篇章。
延伸閲讀…
這些發現為開發高性能的TSF器件提供了新的思路，開創了FET技術在光電應用中的新篇章。
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